当前位置：正文

HBM 4，再刮风浪

（原标题：HBM 4，再刮风浪）

如果您但愿不错不时碰头，接待标星储藏哦~

据天下半导体贸易统计（WSTS）最近发布的阐发夸耀，环球存储器阛阓限制预期将从本年的1670亿好意思元（约238万亿韩元）增长到来岁的1894亿好意思元（约270万亿韩元）。然则，每种家具的情况瞻望齐会分为南北极对立。

起初，东谈主工智能数据中心所需的HBM（高带宽内存）和大容量eSSD（企业级SSD）等高附加值顶端内存家具的需求瞻望来岁将保握强盛。该家具亦然三星电子、SK海力士等国内企业主导的阛阓；另一方面，通用内存（尤其是传统家具）的供过于求风景正在恶化。这些家具的价钱在本年第四季度照旧启动着落。IT需求依然低迷，自后者的激进业务膨大正在成为一衣带水的危险身分。

在此地方下，HBM会是强大破损口，这恰是三大巨头加紧在这方面过问的原因之一。主如若因为该工夫有望带来顶端的性能和后果数据，这亦然提高 AI 蓄意智商的派系。围绕着这项工夫的竞争也启动尖锐化。

三星和SK海力士，加快 HBM4

三星电子准备在来岁下半年量产HBM4（第六代HBM）。HBM4 是 HBM3E（第五代）的后继家具，是当前生意化的最新一代 HBM。它蓄意安设在英伟达的下一代东谈主工智能加快器“Rubin”系列中。

三星电子的 HBM4 基于 1c DRAM，即 10 纳米级第六代 DRAM。洽商到竞争敌手SK海力士和好意思光在HBM4中使用1b DRAM，即第五代DRAM，当先一代。为了确保鄙人一代 HBM 阛阓中的竞争力，战术是快速提高性能。

为此，三星电子将于本年年底启动在平泽市P4投资开垦1c DRAM量产线。具体设备供货已与连络协作伙伴商谈，瞻望最快来岁年中完成清爽开垦。

与此同期，三星电子正在通过修改HBM3E（第5代HBM）的部分电路来重新向NVIDIA供货。与此同期，三星电子一直在与NVIDIA沿途对HBM3E 8层和12层进行质料测试，但由于性能等问题一直未能量产。

SK 海力士不息研发，主见是在本年第四季度结束 HBM4 的“流片”。流片是指在实践室完成芯片联想并将图纸发送到制造经过。这是家具进入量产阶段的主要工序。

SK Hynix 将 1b DRAM 应用于 HBM4，就像 HBM3E 相同。这是一个留心家具稳固性和良率的选拔。因此，业界觉得SK海力士将大概比竞争敌手更胜仗地开发HBM4。

当前，SK海力士的1b DRAM投资主要蚁合在利川M16晶圆厂。据悉，通过将现存的传统DRAM坐褥线调换为1b DRAM，到来岁产能将加多至每月最多14万至15万片。

好意思光公布HBM4E 工艺阐扬

在韩国双雄大举焦虑之际，好意思光也不甘东谈主后。据报谈，好意思光科技最近提供了其下一代 HBM4 和 HBM4E 工艺的更新，并暴露瞻望将于 2026 年启动大限制坐褥。

好意思光示意，凭借康健的基础和对熟练的 1β 工艺工夫的握续投资，好意思光方面觉得公司的 HBM4 将保握上市时刻和能效当先地位，同期性能比 HBM3E 提高 50% 以上。好意思光瞻望 HBM4 将在 2026 年结束行业开阔量坐褥。

“HBM4E 的开发责任正在与多家客户沿途胜仗进行，HBM4E 将紧随 HBM4 的门径。HBM4E 将为内存业务带来一次范式转换，它整合了使用台积电先进的逻辑代工制造工艺为某些客户定制逻辑基片的选项。咱们瞻望这种定制功能将鼓吹好意思光的财务功绩改善。”好意思光方面强调。

关于那些不知谈的东谈主来说，HBM4 在很多方面齐是转换性的，但这里有一个真理的点需要戒备，即业界蓄意将内存和逻辑半导体集成到一个封装中。这意味着将不再需要封装工夫，况兼洽商到单个芯片将更接近这种结束，它将被表现具有更高的性能后果。这等于为什么好意思光提到他们将使用台积电行为其“逻辑半导体”供应商，雷同于 SK 海力士所采用的供应商。

在分析会上，好意思光还提到了 HBM4E 工艺的存在，成为除 SK 海力士以外独逐个家率先暴露该工夫发展情况的公司。固然咱们当前不笃定好意思光 HBM4 系列的规格，但该公司如实暴露，HBM4 瞻望将堆叠多达 16 个 DRAM 芯片，每个芯片的容量为 32 GB，并配备 2048 位宽的接口，这使得该工夫远远优于上一代家具。

好意思光也示意，HBM4E 家具的开发责任正在与多家客户沿途胜仗进行，因此咱们不错预期不同的客户将采器具有不同成立的基础芯片。这象征着朝着定制内存措置决策迈出了一步，这些措置决策适用于带宽需求大的 AI、HPC、汇注和其他应用。

据暴露，HBM4 瞻望还将与 AMD 的 Instinct MI400 Instinct 系列沿途出当前 NVIDIA 的 Rubin AI 架构中，因此该工艺将取得平凡的阛阓招供。当前 HBM 需求处于顶峰，而好意思光我方也暴露，到 2025 年，坐褥线已被预订，因此翌日将愈加光明。

客户有了新变化

在曩昔，HBM主要由英伟达这些厂商破钞。但ZDnet觉得，以NVIDIA为首的HBM（高带宽内存）阛阓来岁将经验一场变革。这是环球大型科技公司一直在开发我方的东谈主工智能半导体并积极加多顶端 HBM 的影响。

业内东谈主士也示意，从来岁头启动，谷歌、Meta、亚马逊汇注劳动（AWS）等环球大型科技公司对HBM的需求瞻望将加多。

这一趋势在好意思光19日发布的2025财年第一季度（2024年9月至2024年11月）功绩公告中也能得到阐明。好意思光仅提到 Nvidia 行为其现存的 HBM 供应商，但晓示通过这次功绩公告取得了更多客户。

好意思光解释说，“咱们本月启动向第二大客户供应 HBM”，“咱们蓄意在来岁第一季度启动向第三大客户批量坐褥供应，以扩大咱们的客户群。” 来岁的HBM阛阓限制也从原本的250亿好意思元提高到300亿好意思元。

一位半导体行业官员示意，“咱们正在分析好意思光提到的第二个和第三个客户是谷歌和亚马逊。”他补充谈，“据我了解，这些公司在加多我方的 AI 芯良晌正在积极订购 HBM3E（第五代 HBM）。”从本年年底启动发货。”他解释谈。

举例，谷歌在其自主研发的第六代TPU（张量处理单位）“Trillium”上安设了HBM3E。据了解，AWS 将在其里面开发的用于 AI 学习的“Trainium2”芯片组中使用 HBM3 和 HBM3E。这两款芯片均于本年年底发布。

一位半导体行业的高档官员示意，“台积电的CoWoS客户比例发生了变化。之前Nvidia是第一，AMD是第二，但AWS最近高涨到了第二位。”

CoWoS 是由台湾主要代工场台积电 (TSMC) 开发的 2.5D 封装。2.5D封装是 一种在芯片和基板之间插入称为中介层的薄膜的工夫，是坐褥基于HBM的AI加快器的基本要素之一。

Broadcom最近还加大了在AI和HBM连络阛阓的占有率。博通是一家大型无晶圆厂公司，按收入排行环球第三。除了通讯半导体和数据中心汇注业务外，该公司还从事为特定客户量身定制劳动器基础技艺的业务。

Broadcom 正在基于本身的半导体联想智商为Google和Meta提供AI半导体联想维持。因此，本年上半年，咱们一直在与三星电子、SK海力士、好意思光等主要DRAM制造商进行HBM3E 8层的质料测试。当前，据了解，SK海力士和好意思光已胜仗进入该阛阓。

接下来，咱们看一下Broadcom和Marvell这些当先巨头对HBM的应用和见地。

开启HBM定制新期间

曩昔的报谈中，咱们屡次说起了HBM将进入定制期间。

毫无疑问，HBM4 凭借其 2048 位内存接口令东谈主印象深化。然则，HBM4E 将愈加令东谈主印象深化，它不错为某些客户提供定制的基础芯片，从而提供具有潜在附加功能的更优化的措置决策。

这刚巧迷惑了Broadcom和Marvell对HBM建议了新的措置决策。

起初看博通方面，本月初，博通推出了 3.5D eXtreme Dimension 系统级封装 ( 3.5D XDSiP ) 平台，用于 AI 和 HPC 责任负载的超高性能处理器。新平台依赖于台积电的 CoWoS 和其他先进的封装工夫。它使芯片联想东谈主员大概构建 3D 堆叠逻辑、汇注和 I/O 芯片以及 HBM 内存堆栈的系统级封装 (SiP)。该平台允许使用高达 6000mm2的 3D 堆叠硅片和 12 个 HBM 模块的 SiP。首批 3.5D XDSiP 家具将于 2026 年上市。

博通示意，Broadcom 的 3.5D XDSiP 已面世，为定制蓄意的新期间提供能源。该创新平台的主要上风包括：

1、增强的互连密度- 与 F2B 工夫比较，堆叠芯片之间的信号密度提高了 7 倍。

2、稀薄的功率后果- 通过独揽 3D HCB 代替平面晶粒到晶粒 PHY，将晶粒到晶粒接口的功耗镌汰 10 倍。

3、减少蔓延- 最大限制地减少 3D 堆栈内蓄意、内存和 I/O 组件之间的蔓延。

4、紧凑的外形尺寸- 可结束更小的中介层和封装尺寸，从而粗略本钱并改善封装翘曲。

据 TheElec 日前报谈，韩国内存芯片巨头 SK 海力士已赢得向博通供应高带宽内存（HBM）的大订单。音书东谈主士称，这家好意思国芯片巨头将从 SK 海力士采购内存芯片，以安设在一家大型科技公司的东谈主工智能蓄意芯片上。

再看Marvell，他们也提供了定制 HBM 蓄意架构，适用于定制超大限制 XPU。

家喻户晓，HBM 内存放胆了容量和可扩展性，沟通了更高的带宽。一般来说，HBM 部署在 CPU 和加快器或 XPU 附近的容颜是，它通过长入两块硅片的硅中介层上的尺度清爽进行长入。XPU 频频有两个或更多 HBM 堆栈，由 DRAM 堆栈和基片构成。

超大限制蓄意厂商与 Marvell 和主要的 HBM 厂商正在界说一种新的定制接口，该接口占用的蓄意芯片空间更少。这使得 Marvell 偏激客户大概在 XPU 附近搁置更多 HBM，从而加多每个芯片的内存带宽和容量。它还不错镌汰使用定制内存的芯片的功率条目。

天然，挑战在于 HBM 的尺度互连版块占用了芯片上更多的海岸线空间。通过减少长入 HBM 和 XPU 所需的物理空间，这些空间可用于其他 I/O 或更多 HBM。Marvell 示意，这不错提高 I/O 性能，同期将接口功耗镌汰 70%。

这也意味着定制 HBM 措置决策不是 JEDEC 措置决策。或者换句话说，cHBM（定制 HBM）不会是尺度的现成 HBM。）HBM4 使用超越 2000 个引脚，是 HBM3 的两倍。通过使用定制互连，无需扫数这些引脚。它还开释了芯片区域以添加定制逻辑，如压缩和安全功能。

Marvell也示意，瞻望每平常毫米面积的浑沌量将加多约 4 倍。它还展示了翌日带宽将比当前跳跃 10 倍的远景。

HBM无疑会给存储厂商带来巨大利好。由于主要内存公司 HBM 出货量的扩大，顶端 DRAM 瞻望来岁将呈现庄重趋势，但通用传统 DRAM 阛阓瞻望将握续供过于求。

左证阛阓商榷公司 DRAM Exchange 的数据，本月底 8GB（千兆字节）DDR4 模块的平均价钱为 18.5 好意思元，环比着落 11.9%。这表现对包括个东谈主电脑在内的 IT 需求疲软。

同期，也有不雅点觉得三星电子是否向NVIDIA供应12层HBM3E可能会对通用DRAM产生影响。

瑞穗证券在最近的一份阐发中示意，“如果向 NVIDIA 的 HBM3E 12 层供应不息蔓延，三星电子将把分派给 HBM 的 DRAM 坐褥调换为通用家具。因此，DRAM 供应量将加多，当先他示意，由于来岁上半年 DRAM 产量加多，“DRAM 价钱瞻望将加快着落”。

一言以蔽之，一场围绕着DRAM的新角逐，正在恢弘献技。

https://wccftech.com/micron-reveals-development-on-cutting-edge-hbm4e-process/

https://zdnet.co.kr/view/?no=20241217142411

https://zdnet.co.kr/view/?no=20241220104829

https://www.broadcom.com/info/ai/3point5d

https://www.servethehome.com/marvell-custom-hbm-compute-architecture-for-custom-hyper-scale-xpus/

半导体佳构公众号推选

专注半导体规模更多原创本色

温雅环球半导体产业动向与趋势

*免责声明：本文由作家原创。著述本色系作家个东谈主不雅点，半导体行业不雅察转载仅为了传达一种不同的不雅点，不代表半导体行业不雅察对该不雅点赞同或维持，如果有任何异议，接待连络半导体行业不雅察。

今天是《半导体行业不雅察》为您共享的第3984期本色，接待温雅。

『半导体第一垂直媒体』

及时 专科 原创 深度

公众号ID：icbank

心爱咱们的本色就点“在看”共享给小伙伴哦