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SK 海力士推出16层HBM3e芯片

（原标题：SK 海力士推出16层HBM3e芯片）

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SK 海力士在其12-Hi HBM3e内存芯片上加多了四层，将容量从 36 GB 提高到 48 GB，并经营于 2025 年推出这款 16-Hi 居品的样品。

到刻下松手，扫数 HBM3e 芯片最多皆有 12 层，据悉 16 层 HBM 将在改日一两年内与HBM4圭表沿途问世。SK 海力士首席践诺官 Kwak Noh-Jung 在首尔 SK AI 峰会的主题演讲中炫耀了 16-Hi 本事。

高带宽内存(HBM) 堆叠内存芯片并通过插入器单位（而不是通过插槽系统）将它们流通到处理器，以此来加多内存到处理器的带宽。此圭表的最新一代是蔓延 HBM3 (HBM3e)。

行将推出的 HBM4 圭表与 HBM3e 的不同之处在于，HBM4 揣摸每针 10 Gbps 以上，而 HBM3e 的最大速率为每针 9.2 Gbps。这意味着堆栈带宽约为 1.5 TBps，而 HBM3e 为 1.2 TBps 以上。HBM4 可能撑合手比 HBM3e 更高的容量，可能高达 64 GB，何况延长也更低。据报说念，Nvidia的 Jensen Huang 已条件 SK 海力士比经营提前 6 个月录用 HBM4 芯片。SK 集团董事长崔泰源示意，这些芯片将于 2025 年下半年录用。

笔据 SK 海力士的里面测试，16-Hi HBM3e 芯片在 GenAI 磨真金不怕火中的性能普及了 18%，在推理中的性能普及了 32%，而 12-Hi 居品则莫得如斯大的普及。

SK hynix 的 16-Hi 居品采选 MR-MUF（大范围回流成型底部填充）本事制造。该本事迎阿了回流和成型工艺，通过溶化芯片之间的凸块将半导体芯片流通到电路上，并用一种称为液态环氧模塑料 (EMC) 的材料填充芯片之间的空间和凸块弱点。这提高了堆栈的耐用性和散热性。

SK 海力士首席践诺官谈到了该公司的更多内存设备：

适用于 PC 的 LPCAMM2 模块

基于 1c nm 的 LPDDR5 和 LPDDR6 内存

PCIe 第六代 SSD

大容量 QLC 企业级 SSD

UFS 5.0 内存

基片上带有逻辑处理的 HBM4 芯片

用于外部存储器的 CXL 结构

近内存处理 (PNM)、内存处理 (PIM) 和经营存储居品本事

扫数这些皆是 SK 海力士在面对 AI 使命负载对内存需求的合手续大幅增长的情况下设备的。咱们不错预期其竞争敌手三星和好意思光也将设备近似容量的 HBM3e 本事。

SK海力士推出公共首款16层HBM3e

SK海力士于2017年11月推出公共首款16层HBM3E居品。4、展现其在高带宽内存（HBM）本事方面的滥觞地位。

SK 海力士首席践诺官 Kwak Noh-jung 在首尔江南区 COEX 举行的 SK AI 峰会上发表主题演讲时推出了该居品。

本年2月，SK海力士在好意思国著名的海外固态电路会议（ISSCC）上发表了一篇对于16层HBM3E的论文，强调了该公司的前沿进展。上个月，它启动批量分娩12层HBM3E居品，为推出更先进的16层版块奠定了基础。

Kwak强调了这一设备的抨击性，他示意：“咱们刻下正在准备多种‘寰球始创’的居品，这些居品是寰球上初次设备和量产的。”他进一步陈说了公司的策略，并指出：“为了确保本事褂讪性，为将跟着下一代 HBM4 全面绽放的 16 层居品阛阓作念好准备，咱们正在设备 48 GB 16 层居品HBM3E。”

16层HBM3E居品旨在蓬勃高性能经营哄骗不休增长的需求，包括东说念主工智能（AI）、图形处理和数据中心。SK Hynix 的里面分析炫耀，与 12 层居品比较，学习规模的性能普及了 18%，推理规模的性能普及了 32%。这一显著增强揣摸将股东新内存本事在各个行业的采选。

在12层居品中展现出量产竞争力的Advanced MR-MUF工艺将用于16层HBM3E的分娩工艺。此外，SK海力士正在设备夹杂键合本事动作备用工艺，以确保新式存储芯片的可靠性和成果。

Kwak还文告，SK海力士经营明岁首向客户提供16层HBM3E样品。“咱们经营明岁首向客户提供样品，”他说，强调了公司接力于于蓬勃客户需求并加速新本事采选的应许。

瞻望改日，SK海力士已经在研究改日的内存本事。Kwak炫耀，定制HBM4E的设备经营于2025年至2027年进行，定制HBM5和HBM5E的设备经营于2028年至2030年进行。“定制 HBM 通过响应各式客户需求（举例容量、带宽和附加功能）来优化性能，”他证明说念。

除了 HBM 的向上除外，SK 海力士还在设备 LPCAMM2 模块、基于 1cnm 的 LPDDR5 和 LPDDR6、PCIe 第 6 代固态硬盘 (SSD)、基于大容量四级单位 (QLC) 的 eSSD 和 UFS 5.0 。这些设备针对改日的个东说念主电脑、数据中心和其他高性能经营哄骗。

Kwak 示意：“咱们正在设备 LPCAMM2 模块，揣摸以其低功耗和高性能的上风哄骗于改日的 PC 和数据中心，同期咱们也在设备基于 1cnm 的 LPDDR5 和 LPDDR6。” “在 NAND 方面，咱们正在准备 PCIe 第 6 代固态硬盘 (SSD)、基于大容量四级单位 (QLC) 的 eSSD 和 UFS 5.0。”

SK 总裁誓词与 Nvidia、台积电联手贬责 AI 瓶颈问题

SK 集团董事长崔泰源再次接力于于打造纷乱的东说念主工智能生态系统，并誓词与东说念主工智能前驱和要道互助伙伴 Nvidia 和台积电沿途克服这依然由中的瓶颈。

崔泰源在周一于首尔举行的 SK AI Summit 2024 上列举了蓬勃发展的 AI 行业濒临的诸多繁难，并重申了他与 Nvidia 首席践诺官黄仁勋、台积电首席践诺官魏哲家和微软首席践诺官萨蒂亚·纳德拉等科技界首领的关联。在事先录制的视频中，首席践诺官们发表了祝福词，强调了 SK 海力士在其 AI 功绩中发达的作用。

“我前次与黄仁勋碰头时，他问我能否比咱们约定的日历提前六个月供应 HBM4，”崔泰源在首尔为期两天的行为开幕式上说说念。“我问 SK 海力士 CEO 是否有可能，他说他会竭力，是以咱们正在竭力将日历提前六个月。”

SK 集团的芯片制造子公司 SK 海力士在公共高带宽内存芯片阛阓占据主导地位，高带宽内存芯片是一种用于普及东说念主工智能哄骗中图形处理单位性能的顶端组件。动作公共顶级 GPU 制造商 Nvidia 的主要 HBM 供应商，SK 海力士本年 7 月至 9 月的季度生意利润创下了 7.03 万亿韩元（51.3 亿好意思元）的记录。

在一段事先录制的视频言语中，Nvidia 首席践诺官黄仁勋强调了 SK 海力士 HBM 芯片的抨击性，称其为“超等摩尔定律”的股东者。摩尔定律指出，单个芯片上的晶体管数目每两年翻一番，时常用于描摹芯片规模的快速向上。

“当咱们从编码转向机器学习时，它极地面改变了经营机架构。咱们在 HBM 内存方面所作念的使命如实让咱们概况罢了看似超摩尔定律的见地，”黄仁勋在著名经营机科学家戴维·帕特森 (David Patterson) 的预录采访中说说念。

“咱们但愿以更低的能耗得到更多的带宽。因此，SK Hynix 的路子图十分激进，而且十分必要。”

为了加强与公共科技巨头在东说念主工智能规模的关联，崔泰源在 SK 集团里面配置了一个故意研究东说念主工智能的使命组。

崔泰源随后强调了该集团与台积电的互助，台积电是公共最大的代工场，分娩 Nvidia 的顶端 GPU。台积电首席践诺官魏哲家通过视频发表了祝福词。

CC Wei 示意：“SK 海力士一直处于提供顶端 HBM 本事的前沿，其对改进的执着为塑造 AI 的改日作念出了关键孝顺。”

“高带宽、低功耗的内存贬责有经营已经改变了东说念主工智能的使命负荷，冲破了东说念主工智能系统所能罢了的界限。”

崔泰源将台积电描摹为一家信得过关注客户的公司，并回忆起他与台积电首创东说念见地忠谋的对话，其时张忠谋撑合手他收购海力士的决定。SK 集团于 2012 年收购了内存芯片公司海力士。

“我意识张忠谋 20 年了。当我决定接受海力士时，我有契机和他交谈。他十分撑合手我，荧惑我说芯片行业远景光明，”崔泰源说。“他迎接我加入这个行业，并一直动作难得的互助伙伴与我保合手关联。”

在会上，SK集团董事长指出了AI合手续增长需要贬责的几个瓶颈：缺少“杀手级用例”和收入口头来收回AI投资；AI加速器和半导体供应短缺；先进制造步调产能有限；确保AI基础步调有饱胀的动力濒临挑战；以及对高质料数据的需求。

崔泰源强调，撑合手蓬勃发展的东说念主工智能哄骗需要无数动力，同期还谈到了确保动力开始的必要性，并证明了 SK 对采选碳拿获本事的燃气轮机和微型模块化反应堆动作落寞电源的投资。

在另一场会议上，SK 海力士首席践诺官 Kwak Noh-jung 阐述，该芯片制造商正准备大范围分娩业界最新的 HBM 芯片，即容量为 48 GB 的 16 栈 HBM3E。

Kwak 示意，在模拟中，SK 海力士发现，与现存的 12 堆栈模子比较，其设思的 16 堆栈 HBM3E 芯片将使 AI 磨真金不怕火性能提高 18%，AI 推理才略提高 32%。

SK海力士凭借其HBM芯片在AI芯片阛阓上超越了其同城竞争敌手三星电子。

当被问及 SK 海力士本年的年度收益是否可能初次非常三星时，SK 集团董事长严慎地指出，不同公司对 AI 芯片的格调各不交流，而三星一朝乘上 AI 海浪，将会“作念得更好”。

崔泰源在开幕致辞后告诉记者：“三星领有更多的本事和资源。我敬佩，借助东说念主工智能的海浪，三星将概况取得比当今更好的收货。”

SK 海力士和三星争夺 Nvidia 内存芯片左券

Nvidia 依靠最新的高带宽内存 (HBM) 芯片来构建其最纷乱的图形处理单位 (GPU)。

跟着比年来对 Nvidia GPU 的需求不休加多，其供应商也难以跟上圭表。

对于韩国内存芯片竞争敌手SK 海力士和三星来说，Nvidia 的左券不错带来可不雅的收入，并有望罢了改日增长。在争夺这些利润丰厚的往来时，两家公司皆在竞相设备更好的 HBM 贬责有经营并扩大其制造才略。

尽管 Nvidia 仍在其较小的 GPU 上使用称为图形双倍数据速率 (GDDR) 的替代内存本事，但它更倾向于在 AI 磨真金不怕火中使用的分量级处理器上使用 HBM。

这两个芯片系列之间的一个要道分离是，GDDR 内存时常单独放弃在 GPU 电路板上，而 HBM 不错放弃在处理器把握。接续处理器使 HBM 具有其主要上风——速率。

跟着 Nvidia 加速 GPU 设备，其内存需求也随之加多，该公司命令供应商调动其居品。

举例，据报说念，首席践诺官黄仁勋参议 SK 海力士将更先进的HBM4芯片的分娩速率提前六个月。

据报说念，SK Hynix 最初经营于 2026 年罢了量产经营加速其 HBM 路子图，以便在 2025 年下半年推出首批芯片——偶然赶上 Nvidia 揣摸推出的下一代 Rubin R100 GPU。

与此同期，三星也提前了其 HBM4 期间表，见地是在 2025 年底罢了量产。

当 Nvidia 启动将 HBM 纳入其 GPU 设想时，它最初爱重的是 SK Hynix 芯片。媒体报说念这标明，由于发烧和功耗问题，三星芯片不顺应 Nvidia 用于 AI 处理器的圭表。

可是，据报说念，本年 7 月 Nvidia批准三星的 HBM3 用于 H20 处理器，这是其旗舰居品 H200 的精简版，专为中国阛阓制造。

与三星互助不错匡助 Nvidia 贬责供应链瓶颈，从而提高 GPU 产量。与此同期，三星投资者将扩大与 Nvidia 的互助商量视为潜在的钱树子。

在最近的季度财报电话会议上，三星答复称，由于对东说念主工智能基础步调的投资加多，HBM 的需求苍劲。

该公司在一份声明中示意：“公司经营积极响应东说念主工智能对高附加值居品的需求，并将扩大产能以加多 HBM3E 销售的份额。”

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